説明
VND5N07-E は、設計されたモノリシック デバイスです。
STMicroelectronics® VIPower® M0を使用
標準の置き換えを意図した技術
DC ~ 50 KHz のパワー MOSFET
アプリケーション。ビルトインサーマルシャットダウン、リニア
電流制限と過電圧クランプ保護
過酷な環境でのチップ。
を監視することで、障害フィードバックを検出できます。
入力ピンの電圧。
仕様 | |
属性 | 価値 |
カテゴリー | 集積回路 (IC) |
PMIC - 配電スイッチ、負荷ドライバ | |
STマイクロエレクトロニクス | |
OMNIFET II VIパワー | |
テープ&リール(TR) | |
カットテープ(CT) | |
デジリール | |
部品ステータス | アクティブ |
スイッチタイプ | 一般的用途 |
出力数 | 1 |
比率 - 入力:出力 | 1:01 |
出力構成 | ローサイド |
出力タイプ | Nチャンネル |
インターフェース | オンオフ |
電圧 - 負荷 | 55V (最大) |
電圧 - 供給 (Vcc/Vdd) | 不要 |
電流 - 出力 (最大) | 3.5A |
Rds オン (標準) | 200ミリオーム(最大) |
入力方式 | 非反転 |
特徴 | - |
障害保護 | 電流制限 (固定)、過熱、過電圧 |
動作温度 | -40℃~150℃(TJ) |
取付タイプ | 表面実装 |
サプライヤー デバイス パッケージ | DPAK |
パッケージ・ケース | TO-252-3、DPak (2 リード + タブ)、SC-63 |