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VND5N07TR-E 新しくてオリジナルの MOSFET パワー スイッチ/ドライバ 1:1 N チャネル 3.5A DPAK

簡単な説明:

製造元部品: VND5N07TR-E
メーカー: STマイクロエレクトロニクス
パッケージ: DPAK/TO252
説明: MOSFET
データシート:お問い合わせください。


製品の詳細

製品タグ

製品パラメータ

説明

VND5N07-E は、設計されたモノリシック デバイスです。
STMicroelectronics® VIPower® M0を使用
標準の置き換えを意図した技術
DC ~ 50 KHz のパワー MOSFET
アプリケーション。ビルトインサーマルシャットダウン、リニア
電流制限と過電圧クランプ保護
過酷な環境でのチップ。
を監視することで、障害フィードバックを検出できます。
入力ピンの電圧。

 

 

仕様
属性 価値
カテゴリー 集積回路 (IC)
PMIC - 配電スイッチ、負荷ドライバ
STマイクロエレクトロニクス
OMNIFET II VIパワー
テープ&リール(TR)
カットテープ(CT)
デジリール
部品ステータス アクティブ
スイッチタイプ 一般的用途
出力数 1
比率 - 入力:出力 1:01
出力構成 ローサイド
出力タイプ Nチャンネル
インターフェース オンオフ
電圧 - 負荷 55V (最大)
電圧 - 供給 (Vcc/Vdd) 不要
電流 - 出力 (最大) 3.5A
Rds オン (標準) 200ミリオーム(最大)
入力方式 非反転
特徴 -
障害保護 電流制限 (固定)、過熱、過電圧
動作温度 -40℃~150℃(TJ)
取付タイプ 表面実装
サプライヤー デバイス パッケージ DPAK
パッケージ・ケース TO-252-3、DPak (2 リード + タブ)、SC-63

 

 

VND5N07TR-1 VND5N07TR-2

 

 

 

 


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