属性 | 価値 |
メーカー: | オン・セミコンダクター |
製品カテゴリ: | MOSFET |
RoHS: | 詳細 |
テクノロジー: | Si |
取り付けスタイル: | SMD/SMT |
パッケージ/ケース: | SOT-23-3 |
トランジスタ極性: | Nチャンネル |
チャンネル数: | 1チャンネル |
Vds - ドレイン-ソース ブレークダウン電圧: | 60V |
Id - 連続ドレイン電流: | 115ミリアンペア |
Rds オン - ドレイン - ソース間抵抗: | 7.5オーム |
Vgs - ゲート-ソース間電圧: | -20V、+20V |
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: | 1V |
最低動作温度: | - 55℃ |
最高動作温度: | + 150℃ |
Pd - 消費電力: | 300mW |
チャネル モード: | 強化 |
包装: | カットテープ |
包装: | マウスリール |
包装: | リール |
構成: | 独身 |
身長: | 0.94mm |
長さ: | 2.9mm |
製品: | MOSFET小信号 |
シリーズ: | 2N7002L |
トランジスタの種類: | 1 N チャンネル |
タイプ: | MOSFET |
幅: | 1.3mm |
ブランド: | オン・セミコンダクター |
順方向トランスコンダクタンス - 最小: | 80ミリ秒 |
製品の種類: | MOSFET |
工場パック数量: | 3000 |
サブカテゴリ: | MOSFET |
標準的なターンオフ遅延時間: | 40ns |
標準的なターンオン遅延時間: | 20ns |
単位重量: | 0.000282オンス |